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产品简介:
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品牌为Micron Technology Inc.、分类为存储器、型号为MT41K512M8RH-107:E TR的器件是一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,常用于需要高性能和大容量内存的数据处理设备中。其主要应用场景包括: 1. 网络设备:如高端路由器和交换机,用于提升数据转发和缓存处理效率; 2. 服务器与存储系统:作为主存储器使用,支持服务器运行大型数据库、虚拟化环境等高负载任务; 3. 工业计算机与嵌入式系统:适用于对稳定性与性能有较高要求的工控设备、自动化控制系统; 4. 通信基础设施:用于基站、无线接入设备等,满足高速数据传输和实时处理需求; 5. 消费类电子产品:部分高端PC、游戏主机或图形工作站也可能采用此类内存以提升整体性能。 该型号具有较高的存储密度和频率,适合需要快速访问大量数据的应用场合,且在工业级温度范围内工作,具备良好的可靠性和稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT 933MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K512M8RH-107:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA (9x10.5) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4G(512M x 8) |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 933MHz |